2012年5月8日，推進利（lì）用（yòng）TSV(矽通孔)的三維（wéi）層疊型新一代（dài）DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布，軟件行業巨頭美（měi）國微軟已加盟該協會（huì）。

　　HMC是采用三維構造，在邏輯芯片上沿垂直方（fāng）向疊加多個DRAM芯片，然後通過TSV連接（jiē）布線的技術。HMC的（de）最大特征是與既有的DRAM相比，性能可以得到極大的提升。提升的原因有二，一是芯片間的布線距離能夠（gòu）從（cóng）半導體封裝平攤在（zài）主板上的傳統（tǒng）方法的“cm”單位大幅縮小到（dào）數十μm～1mm;二是一枚芯片上能夠形成1000～數萬個（gè）TSV，實現芯片間（jiān）的多點連接。

　　微軟（ruǎn）之所以加入HMCC，是因為正在考慮如何對應（yīng）很可能（néng）會成為個人電腦和計（jì）算（suàn）機性（xìng）能提升（shēng）的“內存瓶頸”問題。內存瓶頸（jǐng）是指隨著微處理器的性能通（tōng）過多（duō）核化不斷提升，現行架構的DRAM的性能將無法滿足處理器的需要。如果（guǒ）不解決這個問題，就會發生即使購買計算機新產品，實際性能也（yě）得不到相應提升的情況。與之（zhī）相比，如果把基於（yú）TSV的HMC應用於計算機的主存儲器，數據傳輸速度就能夠提高到現（xiàn）行DRAM的約（yuē）15倍，因此（cǐ），不隻是微軟，微（wēi）處理器巨頭美國英特爾等公司也在積極研究采用HMC。

　　其實，計劃采用TSV的並（bìng）不隻是HMC等DRAM產（chǎn）品。按照（zhào）半導體廠（chǎng）商的計劃，在今後數年間（jiān），從承擔電（diàn）子設備輸入功能的CMOS傳感器到負責運算的FPGA和多核處理器，以及掌管產品存儲的DRAM和NAND閃存都將相繼導入TSV。如果計劃如（rú）期進行（háng），TSV將（jiāng）擔負起輸入、運（yùn）算、存儲等電子設（shè）備的主（zhǔ）要（yào）功能。